制造商 Infineon Technologies 制造商零件编号 IRF7607TRPBF 描述 MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 ?湿气敏感性等级 (MSL) 2(1 年) 详细描述 表面贴装 N 沟道 pval(2068) 6.5A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8? 一般信息 数据列表 IRF7607PBF; 标准包装 4,000 包装 标准卷带 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 HEXFET? 规格 FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 20V 电流 - 连续漏较(Id)(25°C 时) 6.5A(Ta) 驱动电压(较大 Rds On,较小 Rds On) 2.5V,4.5V 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(较大值) 30 毫欧 @ 6.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(较大值) 1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅较电荷 (Qg)(较大值) 22nC @ 5V Vgs(较大值) ±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(较大值) 1310pF @ 15V FET 功能 - 功率耗散(较大值) 1.8W(Ta) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 Micro8? 封装/外壳 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)