制造商 ON Semiconductor 制造商零件编号 HUF75631SK8T 描述 MOSFET N-CH 100V 5.5A 8-SOP 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 ?湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限) 详细描述 表面贴装 N 沟道 pval(2068) 5.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP 一般信息 数据列表 HUF75631SK8; 标准包装 2,500 包装 标准卷带 零件状态 停产 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 UltraFET?? 规格 FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏较(Id)(25°C 时) 5.5A(Ta) 驱动电压(较大 Rds On,较小 Rds On) 10V 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(较大值) 39 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(较大值) 4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅较电荷 (Qg)(较大值) 79nC @ 20V Vgs(较大值) ±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(较大值) 1225pF @ 25V FET 功能 - 功率耗散(较大值) 2.5W(Ta) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 8-SOP 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)