STP20NM60A完整数据 代理商深圳现货

制造商	
STMicroelectronics
制造商零件编号	
STP20NM60A
描述	
MOSFET N-CH 650V 20A TO-220
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况	无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
?湿气敏感性等级 （MSL）	1（无限）
详细描述	通孔 N 沟道 pval(2068) 20A（Tc） 192W（Tc） TO-220AB

一般信息
数据列表	STx20NM60A(-1);
标准包装  	1,000
包装  	管件  
零件状态	停产
类别	分立半导体产品
产品族	晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列	MDmesh??

规格
FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650V
电流 - 连续漏较（Id）（25°C 时）	20A（Tc）
驱动电压（较大 Rds On，较小 Rds On）	10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（较大值）	290 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（较大值）	4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅较电荷 （Qg）（较大值）	60nC @ 10V
Vgs（较大值）	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（较大值）	1630pF @ 25V
FET 功能	-
功率耗散（较大值）	192W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220AB
封装/外壳	TO-220-3