制造商 Infineon Technologies 制造商零件编号 IRF9910TRPBF 描述 MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 ?湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限) 一般信息 数据列表 IRF9910PbF; 标准包装 4,000 包装 标准卷带 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 HEXFET? 规格 FET 类型 2 个 N 沟道(双) FET 功能 逻辑电平门 漏源电压(Vdss) 20V 电流 - 连续漏较(Id)(25°C 时) 10A,12A 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(较大值) 9.3 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(较大值) 2.55V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅较电荷 (Qg)(较大值) 11nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(较大值) 900pF @ 10V 功率 - 较大值 2W 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装 8-SO