供应FGL60N100

制造商	
ON Semiconductor
制造商零件编号	
FGL60N100BNTDTU
描述	
IGBT 1000V 60A 180W TO264
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况	无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
?湿气敏感性等级 （MSL）	1（无限）

一般信息
数据列表	FGL60N100BNTD;
标准包装  	375
包装  	管件  
零件状态	不适用於新设计
类别	分立半导体产品
产品族	晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
系列	-

规格
IGBT 类型	NPT 和沟道
电压 - 集射较击穿（较大值）	1000V
电流 - 集电极（Ic）（较大值）	60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	120A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）	2.9V @ 15V，60A
功率 - 较大值	180W
开关能量	-
输入类型	标准
栅较电荷	275nC
25°C 时 Td（开/关）值	140ns/630ns
测试条件	600V，60A，51 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）	1.2μs
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装	TO-264
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